第二零九章 既生瑜何生亮
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足够的间距，晶体管沟槽漏电几乎可以忽略不计。
这也是各大芯片巨头，对finfet新型晶体管不上心的主要原因。
在他们看来，有限的精力、财力、研发力量，与其投入到看不见影子的finfet新型晶体管上，还不如投入到如何提升制造工艺上来的快。
更不用说，finfet晶体管即便研发出来了，在商用上，也有很长的一段路要走。
需要对现有的生产过程，作很大的革新。
所以说，并不是intel、ibm、德州仪器这样的芯片巨头研发不了finfet新型晶体管。
只不过，大家对此都没有形成足够的重视。
而且，也没有多少人认定finfet就是未来的方向。
这也是胡教授到处拉不到赞助的原因。
也就王岸然这个挂逼，敢第一个吃螃蟹，甚至在finfet商用化研究上，走在全世界的前列。
前后投入了两亿多美元，后续的商用化还要持续投入，折合人民币将近20亿，在国内这个时期，即便是大型央企，都很难拿出这个魄力。
没办法，魄力是要本钱的。
这自然也是华芯科技腰杆硬的底气。
苏老听完介绍，一双眼睛睁的比灯泡还大，转头盯向王岸然。
“岸然，一个数学模型，你们花了20亿？”
陈创甲摇摇头，即便现在他对华芯科技的感官很好，在心底也是拒绝接受这个现实。
20亿，什么概念，物化所一年的拨款还不到三千万，还负责上下几百号人的吃喝。
“苏老，finfet新型晶体管，在实际芯片加工中，需要的掩膜板比普通工序增加40%，达到三十多块，制造工艺工序增加60%，达到近三百道工序，为了提高实验精度，完全手动调校，在320纳米制造工艺上，我们成功制造出样品。”
普通的工艺需要的掩膜板费用50万美元一次，而finfet制造工艺需要80万美元。
这在芯片批量生产中，掩膜板的费用分摊到每个芯片当中，可以忽略不计。
可在流片生产当中，这费用就高了去了。
“这个finfet新型晶体管有什么优势？”
“晶体管的就是氧化物、硅半导体材料、金属层，沟槽间距过近是，finfet新型晶体管，可以通过缩小连接宽度，显著减少漏电量，在未来的纳米制造工艺当中，会有很优良的表现。”
苏老翻看技术文件，指了指其中一段，对王岸然说道：“320纳米制造工艺下，你们的finfet晶体管的漏电量，只比普通晶体管减少2%的漏电量。
这在实际应用中，为了这2%，增加80多道工序，成本显著提高，良品率显著下降，怕是付出和收益，完全失衡吧！”
王岸然摇摇头，看来即便是苏老，也是免不了摆摆老资格，一副指点江山，讯问天下的气势。
“苏老，麻烦你往下面翻翻！”
“下面？”
苏老看向王岸然，又翻了几页，接下来的文字，让他彻底感受到了finfet新型晶体管的魔力。
90纳米制造工艺可以减少17%的漏电率。
45纳米制造工艺可以减少32%的漏电率。
32纳米制造工艺可以减少57%的漏电率。
22纳米制造工艺可以减少72%的漏电率。
14纳米……7纳米……5纳米……
苏老指着数据，看着王岸然问道：“这，这，数据准确吗？”
王岸然摆了摆手，指了指季小青，说道：“这要问季主管了，完全是bism数学模型预测的数据，我想，她是最有发言权的吧！”！
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